在芯片领域，三星一直处于全球的领先地位，甚至超过英特尔的全球排名。

当然，在芯片技术革新上，三星也是愿意舍得成本投入，在面向手机、手表、汽车、家庭电器等与物联网、智能端相关应用的爆发式增长态势下，芯片成为推动这些产业蓬勃发展的最核心的因素。

正因为看到了全球产业的发展潜力和未来，三星将在2021年面向全球市场推出其“环绕式栅极（Gate All Around，GAA）”芯片技术。

GAA芯片技术最牛的地方在于，可以让芯片性能比7nm制程的产品提高35％，同时能耗降低50％。从而实现芯片更小、更快的诉求。

几十年来，处理器的基本组成部分一直是晶体管，缩小它一直是芯片进步的关键。晶体管可以开关，使电流流动或不流动，成为—一种控制芯片处理数据和做出决定的状态变化。

在晶体管中，一种叫做栅极的结构控制电流是否流过一个通道。在早期的设计中，栅极被安置在通道顶部，但较新的设计将通道提升为鳍状结构，栅极被覆盖。

传统FinFET的通道只有三面被栅极包围，而GAA以纳米线通道设计，通道的整个外轮廓都被栅极完全包裹住，意味着栅极对通道的控制性能更好。这是一种比以前平面栅极设计更复杂的3D结构。

有些人设想GAA晶体管通道是一种称为纳米线的微小圆柱体，但三星的设计使用了更平坦通道，称为纳米片nanosheets。

首批面向智能手机和其他移动设备的3nm芯片将于2020年进行测试，并于2021年批量生产。对高性能芯片的进一步改进，如图形处理器和封装到数据中心的人工智能芯片，将在2022年实现批量生产。

处理器的发展虽然有许多方面，但缩小制程尺寸是关键。三星制造的芯片如今使用的是7纳米制成。相比之下，一条DNA链的直径只有2纳米左右。李明博说，三星正在用6纳米、5纳米和4纳米的变种改进其7纳米工艺，但GAA将使三星的制程缩小到3纳米。

甚至三星高层透露，GAA的改进将促使2纳米的制造成为可能。之后将是1nm的未来技术，然后，预计制程尺寸会更小。

三星高层相信在1nm以外会有新的技术，不确定什么样的结构，但它会出现。

三星的5nm芯片预计将在2020年生产，不过现在已经可以生产原型产品。该公司现在发布了早期的生产工具，因此客户也可以开始设计和调整3nm的芯片。

三星多年来一直在生产芯片，但在2017年，它将其Samsung Foundry三星代工部门分割成了一个独立的业务部门，以吸引除三星电子（Samsung Electronics）以外的客户的合作。三星电子（Samsung Electronics）开发了一些三星手机中使用的 Exynos芯片。

因此，其他公司依赖三星的实力，比如高通公司（Qualcomm）依靠三星制造其新高端芯片，如高通骁龙Snapdragon 730和730G智能手机芯片。

在处理器制造的辉煌时期，新一代技术将带来更小更快的芯片，而不会增加功耗。现在，这三个好处都很难得到。即使我们做到了，正如三星承诺的3nm制程技术实现，客户仍然会犹豫，因为它的成本很昂贵。

正如即将推出的5nm芯片将比目前的7nm芯片贵一些一样，3nm芯片在每个晶体管定价时将比先前的芯片“稍微”贵一些。不过，这些成本会随着制程工艺的成熟与产能的提升而逐渐下降。

阿明分析评论：三星一旦实现了3纳米量产，那么整个全球半导体产业将再一次发生新的格局震荡。

为此，影响最为明显的当属英特尔，毕竟在制程工艺的创新与引进上，三星已经走在了前面。

与此同时，三星还将依靠三星代工厂自己的制造能力，更为高速地实现芯片制造工艺的革新。加上包括高通等厂商的代工合作关系，有望构建一个以三星为核心的全球芯片新领地。

编辑评论：Aming

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